- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录488 > NTGD4169FT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTGD4169FT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 295pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGD4169F
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum Instantaneous
Reverse Current
Symbol
V F
I R
Test Conditions
I F = 0.5 A
I F = 1.0 A
V R = 30 V
V R = 20 V
Min
Typ
0.41
0.46
7.3
2.5
Max
0.45
0.53
20
8.0
Unit
V
m A
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 85 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum Instantaneous
Reverse Current
Symbol
V F
I R
Test Conditions
I F = 0.5 A
I F = 1.0 A
V R = 30 V
V R = 20 V
Min
Typ
0.35
0.41
0.4
0.17
Max
Unit
V
mA
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 125 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum Instantaneous
Reverse Current
Symbol
V F
I R
Test Conditions
I F = 0.5 A
I F = 1.0 A
V R = 30 V
V R = 20 V
Min
Typ
0.31
0.39
4.4
1.6
Max
Unit
V
mA
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Capacitance
Parameter
Symbol
C
Test Conditions
V R = 10 V, f = 1.0 MHz
Min
Typ
28
Max
Unit
pF
ORDERING INFORMATION
Device
NTGD4169FT1G
Package
TSOP ? 6
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGS1135PT1G | MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP |
| NTGS3130NT1G | MOSFET N-CH SGL 20V 5.6A 6-TSOP |
| NTGS3441BT1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| NTGS3441PT1G | MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP |
| NTGS3441T1 | MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGF3123F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTGS1135P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −8 V, −5.8 A, Single P−Channel, TSOP−6 |
| NTGS1135PT1G | 功能描述:MOSFET 8V Power Mosfet P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3130N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6 |
| NTGS3130NT1G | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。