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参数资料
| 型号： | NTGS1135PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 850mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 970mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGS1135P
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
? 4.5 V
? 2.5 V
? 1.6 V
10
V DS ≥ ? 10 V
8
? 2.0 V
8
6
4
? 1.8 V
T J = 25 ° C
? 1.4 V
6
4
2
V GS = ? 1.2 V
2
T J = ? 55 ° C
T J = 25 ° C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.4
0.6
0.8
1.0
T J = 125 ° C
1.2 1.4
1.6
1.8
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
I D = ? 4.6 A
T J = 25 ° C
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
T J = 25 ° C
V GS = ? 1.2 V
V GS = ? 1.5 V
V GS = ? 1.8 V
V GS = ? 2.5 V
0.01
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
0.02
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
V GS = ? 4.5 V
5.0 6.0
1.4
1.2
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
I D = ? 4.6 A
V GS = ? 4.5 V
100000
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.0
0.8
10000
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1000
1
2
3
4
5
6
7
8
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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PDF描述 |
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