- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录488 > NTGS1135PT1G (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTGS1135PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 850mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 970mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGS1135P
TYPICAL CHARACTERISTICS
3000
5.0
2500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4.0
Qt
2000
3.0
1500
1000
2.0
Q gs
Q gd
500
0
0
C rss
1
2
3
4
5
C oss
6
7
8
1.0
0
0
2.0 4.0
6.0 8.0
10
12
14
16
T J = 25 ° C
I D = ? 4.6 A
18 20
22
1000
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1.4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
100
V DD = ? 8 V
I D = ? 4.6 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
1.2
1.0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(on)
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0
1.0
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGS3130NT1G | MOSFET N-CH SGL 20V 5.6A 6-TSOP |
| NTGS3441BT1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| NTGS3441PT1G | MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP |
| NTGS3441T1 | MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP |
| NTGS3443BT1G | MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGS3130N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6 |
| NTGS3130NT1G | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3136P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6 |
| NTGS3136PT1G | 功能描述:MOSFET PFET TSOP6 20V/8V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3433T1 | 功能描述:MOSFET -12V -3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。