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参数资料
| 型号： | NTGS3130NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH SGL 20V 5.6A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 5.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 935pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTGS3130NT1GOSCT |
NTGS3130N
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
V GS = 4.5 V to 2.5 V
25
V DS ≥ 5 V
16
12
2.0 V
1.8 V
20
15
8
4
0
1.5 V
T J = 25 ° C
10
5
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = -55 ° C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
1.75
2.0
2.25
0.10
0.08
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D = 5.6 A
0.10
0.08
V GS , GATE-T O-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.06
0.06
V GS = 1.8 V
0.04
T J = 125 ° C
0.04
V GS = 2 V
V GS = 2.5 V
0.02
T J = 25 ° C
0.02
3V
V GS = 4.5 V
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.00
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.04
V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate-to-Source
Voltage
1400
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
0.03
V GS = 2.5 V
1200
1000
800
600
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
0.02
V GS = 4.5 V
400
C oss
200
0.01
0
C rss
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
DRAIN-T O-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Capacitance Variation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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