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参数资料
| 型号： | NTGS3130NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH SGL 20V 5.6A 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 5.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 935pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTGS3130NT1GOSCT |
NTGS3130N
TYPICAL CHARACTERISTICS
6
18
10
5
V DS
QT
V GS
16
14
V GS = 0 V
4
3
Q GS
Q GD
V DS = 5 V
V DS = 16 V
12
10
8
1.0
125 ° C
25 ° C
2
6
4
1
0
0
2
4
6
8
10
I D = 5.6 A
T J = 25 ° C
12
14
2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
T J = -55 ° C
0.7 0.8
0.9
1.0
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage vs. Total Charge
100
5
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
SINGLE PULSE
10
100 m s
1 ms
4
3
R q JA = 110 ° C/W
T A = 25 ° C
1
V GS = 8 V
SINGLE PULSE
10 ms
2
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
dc
1
THERMAL LIMIT
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
0
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1
D = 0.5
0.2
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
0.1
0.01
0.001
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 11. Thermal Response
http://onsemi.com
4
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