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参数资料
| 型号： | NTGS3441PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Oct/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 345pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 510mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGS3441P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
20
?4 V
20
V DS ≥ ?10 V
T J = ?55 ° C
16
12
V GS = ?10 V to ?4.5 V
T J = 25 ° C
?3.5 V
?3 V
16
12
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
8
4
?2.5 V
?2 V
8
4
0
?1.9 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
2
3
4
5
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.24
I D = ?1.5 A
T J = 25 ° C
0.30
0.27
V GS = ?2.5 V
T J = 25 ° C
0.24
0.18
0.12
0.21
0.18
0.15
0.12
0.09
V GS = ?4.5 V
0.06
1
2
3
4
5
6
7
8
0.06
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5 9.5
1.5
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1000
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
I D = ?1.5 A
V GS = ?4.5 V
100
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.7
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGS3441T1 | MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGS3441T1 | 功能描述:MOSFET 20V 1A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3441T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 1 Amp， 20 Volts |
| NTGS3441T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 1 Amp, 20 VoltsP−Channel TSOP−6 |
| NTGS3441T1G | 功能描述:MOSFET 20V 1A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3443 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 4.4 Amps, 20 Volts |
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