- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录488 > NTGS3441PT1G (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTGS3441PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Oct/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 345pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 510mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGS3441P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
600
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
QT
20
4
16
400
200
C iss
3
2
V DS
Q GS
Q GD
V GS
12
8
C oss
1
4
0
0
4
8
12
16
C rss
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I D = ?3.0 A
T J = 25 ° C
3
0
3.5
100
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
10
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
10
V DD = ?10 V
I D = ?1.5 A
V GS = ?4.5 V
t r
t d(off)
t d(on)
8
6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
t f
2
1
1
10
100
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Gate Threshold Voltage Variation
with Temperature
http://onsemi.com
4
?V SD, SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGS3441T1 | MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP |
| NTGS3443BT1G | MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP |
| NTGS3443T1 | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| NTGS3446T1 | MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-TSOP |
| NTGS3447PT1G | MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGS3441T1 | 功能描述:MOSFET 20V 1A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3441T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 1 Amp， 20 Volts |
| NTGS3441T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 1 Amp, 20 VoltsP−Channel TSOP−6 |
| NTGS3441T1G | 功能描述:MOSFET 20V 1A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3443 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 4.4 Amps, 20 Volts |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。