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参数资料
| 型号： | NTGS3441T1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Power MOSFET 1 Amp, 20 Volts |
| 中文描述： | 1650 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MINIATURE, CASE 318G-02, TSOP-6 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | NTGS3441T1 |
NTGS3441T1
http://onsemi.com
4
8
8
12
4
0
16
1200
900
600
4
300
0
20
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
C
0
4
8
2
6
6
4
2
0
8
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage vs. Total Charge
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
50
50
0.8
0
100
1.2
1
0.6
150
Figure 9. Gate Threshold Voltage Variation
with Temperature
T
J,
JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
V
G
G
(
G
G
(
0.5
0.9
10
1
0.8
0.7
1.1
8
6
4
2
0.6
0
1.2
1.3
1.4
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
V
SD,
SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
S
S
T
J
= 25
°
C
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
C
iss
C
rss
C
oss
C
rss
C
iss
V
DD
= 20 V
I
D
= 3.3 A
T
J
= 25
°
C
I
D
= 250 A
0.9
1.3
1.1
0.7
25
25
75
125
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
QT
Q
gd
Q
gs
V
GS
V
DS
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述 |
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参数描述 |
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