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参数资料
| 型号： | NTGS3441T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Oct/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.65A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTGS3441T1OS |
NTGS3441, NVGS3441
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted) (Notes 4 & 5)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = ? 10 m A)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V GS = 0 Vdc, V DS = ? 20 Vdc, T J = 25 ° C)
(V GS = 0 Vdc, V DS = ? 20 Vdc, T J = 70 ° C)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = ? 8.0 Vdc, V DS = 0 Vdc)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = +8.0 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
I GSS
? 20
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
? 1.0
? 5.0
? 100
100
Vdc
m Adc
nAdc
nAdc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = ? 250 m Adc)
Static Drain ? Source On ? State Resistance
(V GS = ? 4.5 Vdc, I D = ? 3.3 Adc)
(V GS = ? 2.5 Vdc, I D = ? 2.9 Adc)
Forward Transconductance
(V DS = ? 10 Vdc, I D = ? 3.3 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
g FS
? 0.45
?
?
?
? 1.05
0.069
0.117
6.8
? 1.50
0.090
0.135
?
Vdc
W
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
480
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = ? 5.0 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
265
100
?
?
pF
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
13
25
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate ? Source Charge
Gate ? Drain Charge
(V DD = ? 20 Vdc, I D = ? 1.6 Adc,
V GS = ? 4.5 Vdc, R g = 6.0 W )
(V DS = ? 10 Vdc, V GS = ? 4.5 Vdc,
I D = ? 3.3 Adc)
t r
t d(off)
t f
Q tot
Q gs
Q gd
?
?
?
?
?
?
23.5
27
24
6.2
1.3
2.5
45
50
45
14
?
?
ns
ns
ns
nC
nC
nC
BODY ? DRAIN DIODE RATINGS
Diode Forward On ? Voltage
Diode Forward On ? Voltage
Reverse Recovery Time
(I S = ? 1.6 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = ? 3.3 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = ? 1.6 Adc, dI S /dt = 100 A/ m s)
V SD
V SD
t rr
?
?
?
? 0.88
? 0.98
30
? 1.2
?
60
Vdc
Vdc
ns
4. Indicates Pulse Test: P.W. = 300 m sec max, Duty Cycle = 2%.
5. Handling precautions to protect against electrostatic discharge are mandatory.
http://onsemi.com
2
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