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参数资料
| 型号： | NTGS3441T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Oct/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.65A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTGS3441T1OS |
NTGS3441, NVGS3441
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
8
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.7 V
V GS = ? 2.5 V
20
16
V DS > = ? 10 V
T J = 25 ° C
V GS = ? 6 V V
6
4
V GS = ? 3 V
V GS = ? 3.5 V
V GS = ? 4 V
V GS = ? 4.5 V
GS
= ? 2 V
12
8
T J = ? 55 ° C
T J = 100 ° C
2
V GS = ? 10 V
V GS = ? 1.5 V
4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
4
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.4
0.3
I D = ? 3.3 A
T J = 25 ° C
0.28
0.24
0.2
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
0.16
0.2
0.12
0.1
0.08
0.04
V GS = ? 4.5 V
0
2
3
4
5
6
7
8
0
0
4
8
12
16
20
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.4
I D = ? 3.3 A
V GS = ? 4.5 V
100
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
1.2
10
T J = 100 ° C
1
0.8
1
T J = 25 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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PDF描述 |
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