参数资料
型号: NTGS3441T1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
产品变化通告: Wire Change 08/Oct/2008
Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.65A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫欧 @ 3.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 5V
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NTGS3441T1OS
NTGS3441, NVGS3441
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
20
16
12
8
4
0
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
TIME (sec)
Figure 11. Single Pulse Power
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
SQUARE WAVE PULSE DURATION (sec)
Figure 12. Normalized Thermal Transient Impedance, Junction ? to ? Ambient
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5
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