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参数资料
| 型号： | NTGS3443T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Oct/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 565pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTGS3443T1OS |
NTGS3443, NVGS3443
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1200
1000
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
5
4
QT
V GS
800
600
400
C iss
3
2
Q1
Q2
200
C oss
C rss
1
T J = 25 ° C
I D = ? 4.4 A
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1.3
1.2
1.1
I D = ? 250 m A
4
3
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1
0.9
0.8
0.7
2
1
T J = 25 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
T J, JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. Gate Threshold Voltage Variation
with Temperature
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGS3446T1 | MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-TSOP |
| NTGS3447PT1G | MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP |
| NTGS3455T1 | MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP |
| NTGS4111PT2G | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| NTGS4141NT1G | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGS3443T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 2 Amps， 20 Volts |
| NTGS3443T1G | 功能描述:MOSFET 20V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3443T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTGS3443T2G | 功能描述:MOSFET PFET 20V 0.10R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3446 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 5.1 Amps, 20 Volts N−Channel TSOP−6 |
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