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参数资料
| 型号： | NTGS4141NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP |
| 产品目录绘图： | MOSFET 6-TSOP |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 560pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTGS4141NT1GOSDKR |
NTGS4141N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
15
10 V
6V
T J = 25 ° C
3.5 V
15
V DS ≥ 10 V
4.5 V
10
10
5
3V
5
125 ° C
0
0
2
4
6
8
2.6 V
10
0
1
25 ° C
T J = ? 55 ° C
2 3
4
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.05
0.04
T J = 25 ° C
I D = 7 A
0.05
0.04
T J = 25 ° C
0.03
0.03
0.02
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.02
0.01
0.01
0
2
4
6
8
10
0
0
5
10
15
V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.0
I D = 7 A
V GS = 10 V
10000
V GS = 0 V
1.5
1000
T J = 150 ° C
1.0
0.5
100
T J = 125 ° C
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGS5120PT1G | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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