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参数资料
| 型号： | NTGS4141NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP |
| 产品目录绘图： | MOSFET 6-TSOP |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 560pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTGS4141NT1GOSDKR |
NTGS4141N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2.5
2.25
2.0
1.75
1.5
1.25
1.0
0.75
0.5
0.25
0
0
R q JA , 1 sq in
R q JA , min pad
20 40
60
References is
T Jmax = 150 ° C
R q JA , t < 10 s, 1 sq in
80 100 120 140
160
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
R q JA , 1 sq in
R q JA , min pad
20 40
60
References is
T Jmax = 150 ° C
R q JA , t < 10 s, 1 sq in
80 100 120 140
160
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 13. Maximum Power Derating Chart
1000
100 D = 0.5
0.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 14. Current Derating Chart
10
1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
Single Pulse
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, PULSE TIME (s)
Figure 15. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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