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参数资料
| 型号： | NTHD2102PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 58 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 2.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 715pF @ 6.4V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTHD2102PT1GOSCT |
NTHD2102P
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage (Note 2)
V (Br)DSS
V GS = 0 V, I D = ?250 m A
?8.0
?
?
V
Temperature Coefficient (Positive)
Gate?Body Leakage Current Zero
Zero Gate Voltage Drain Current
I GSS
I DSS
V DS = 0 V, V GS = " 8.0 V
V DS = ?6.4 V, V GS = 0 V
?
?
" 100
?1.0
nA
m A
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
V DS = ?6.4 V, V GS = 0 V,
T J = 85 ° C
?
?5.0
Gate Threshold Voltage
Static Drain?to?Source On?Resistance
V GS(th)
R DS(on)
V DS = V GS , I D = ?250 m A
V GS = ?4.5 V, I D = ?3.4 A
?0.45
?
?
50
?1.5
58
V
m W
V GS = ?2.5 V, I D = ?2.7 A
V GS = ?1.8 V, I D = ?1.0 A
?
?
68
100
85
160
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
g FS
V SD
V DS = ?5.0 V, I D = ?3.4 A
I S = ?1.1 A, V GS = 0 V
?
?
8.0
?0.8
?
?1.2
S
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
V DS = ?6.4 V
V GS = 0 V
f = 1.0 MHz
?
?
?
715
160
120
?
?
?
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3
Turn?On Delay Time
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
Gate Charge
Source?Drain Reverse Recovery Time
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
t rr
V DD = ?6.4 V
V GS = ?4.5 V
I D = ?3.2 A
R G = 2.0 W
V GS = ?2.5 V
I D = ?3.2 A
V DS = ?6.4 V
I F = ?0.9 A, di/dt = 100
8.0
20
20
15
8.0
2.2
4.0
15
?
?
?
?
16
?
?
30
ns
nC
nA
2. Pulse Test: Pulse Width = 250 m s, Duty Cycle = 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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