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参数资料
| 型号： | NTHD2102PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 58 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 2.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 715pF @ 6.4V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTHD2102PT1GOSCT |
NTHD2102P
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4
8
1000
V DD = ?10 V
I D = ?1 A
3
6
V GS = ?4.5 V
Q 1
Q T
Q 2
?V GS
100
t d(off)
t f
2
4
t r
1
?V DS
T J = 25 ° C
I D = ?3.4 A
2
10
t d(on)
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
0
10
100
5
4
3
2
1
Q g, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
50
40
30
20
10
R G , Gate Resistance (Ohms)
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
10 1
0
0.40
0.50 0.60 0.70
0.80
0.90
1.00
0
10?4
10?3
10 ?2
?1
10
100
600
?V SD , Source?to?Drain Voltage (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
Time (sec)
Figure 10. Single Pulse Power
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD2110TT1G | MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET |
| NTHD3100CT3G | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| NTHD3101FT3G | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET |
| NTHD3102CT1G | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| NTHD3133PFT3G | MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD2110T | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -12 V, -6.4 A, Single P-Channel +TVS, ChipFET? Package |
| NTHD2110TT1G | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTHD3100C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, +3.9 A /−4.4 A, Complementary ChipFET |
| NTHD3100CT1 | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3100CT1G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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