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参数资料
| 型号： | NTHD3133PFT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Apr/2009 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD3133PF
TYPICAL P-CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
9
8
7
V GS = -5 V to -3.6 V
V GS = -3 V
-2.6 V
-2.4 V
T J = 25 ° C
9
8
7
V DS ≥ -10 V
6
5
4
3
-2.2 V
-2 V
6
5
4
3
2
-1.8 V
2
T C = -55 ° C
1
0
-1.6 V
-1.4 V
1
0
25 ° C
100 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.2
0.175
0.15
0.125
0.1
0.075
0.05
I D = -3.2 A
T J = 25 ° C
0.2
0.175
0.15
0.125
0.1
0.075
0.05
T J = 25 ° C
V GS = -2.5 V
V GS = -4.5 V
1
2
3
4
5
6
2
3
4
5
6
7
8
-V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate-to-Source
Voltage
1.4
I D = -3.2 A
1000
-I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.3
1.2
V GS = -4.5 V
T J = 100 ° C
1.1
100
1
0.9
0.8
0.7
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD4102PT3G | MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTHD4102PT1G | 功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4102PT3G | 功能描述:MOSFET PFET 20V 4.8A 80M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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