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参数资料
| 型号： | NTHD3133PFT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Apr/2009 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD3133PF
TYPICAL P-CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1500
1200
C ISS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4 -V DS
Q T
-V GS
10
8
900
V DS = 0 V
3
6
600
C RSS
2
Q GS
Q GD
4
300
1
2
0
C OSS
0
I D = -3.2 A
T J = 25 ° C
0
5
-V GS
0
-V DS
5
10
15
20
0
2
4 6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
8
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
5
Figure 8. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
100
V DS = -10 V
I D = -3.2 A
V GS = -4.5 V
t d(off)
t f
t r
4
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(on)
2
1
1
1
10
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NTHD4102PT3G | MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTHD4102PT1G | 功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4102PT3G | 功能描述:MOSFET PFET 20V 4.8A 80M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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