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参数资料
| 型号： | NTHD4502NT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 30V CHIPFET |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 2.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 640mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD4502N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
300
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
24
200
C ISS
C RSS
10
8
6
V DS
Q G
V GS
20
16
12
100
C OSS
4
2
Q GS
Q GD
I D = 2.9 A
T J = 25 ° C
8
4
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
25
30
0
0
1 2 3
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t d(on)
t r
2
1
0.1
1
t f
10
V DD = 24 V
I D = 1.0 A
V GS = 10 V
100
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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