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参数资料
| 型号： | NTHD4N02FT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 910mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTHD4N02FT1GOS |
NTHD4N02F
TYPICAL MOSFET PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
400
C ISS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4.5
Q T
20
4
16
300
3.5
200
C RSS
3
2.5
12
100
C OSS
2
1.5
1
Q GS
Q GD
I D = 2.9 A
T J = 25 ° C
8
4
0.5
0
0
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
0
0.5
1 1.5 2
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
2.5
3
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
100
7
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 16 V
I D = 2.9 A
V GS = 4.5 V
6
5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(off)
4
3
1
t f
t d(on)
2
1
0
1
10
100
0.3
0.45
0.6
0.75
0.9
1.05
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD4P02FT1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTHD4P02FT1 | 功能描述:MOSFET -20V -3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4P02FT1G | 功能描述:MOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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