- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHD4N02FT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHD4N02FT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 910mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTHD4N02FT1GOS |
NTHD4N02F
TYPICAL SCHOTTKY PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
10
1
T J = 150 ° C
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
0.1
T J = ?55 ° C
0.1
T J = 25 ° C
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Typical Forward Voltage
100E?3
T J = 150 ° C
100E?3
V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Forward Voltage
T J = 150 ° C
10E?3
1E?3
100E?6
10E?6
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
10E?3
1E?3
100E?6
10E?6
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
0
10
20
0
10
20
3.5
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Typical Reverse Current
freq = 20 kHz
1.4
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Maximum Reverse Current
3
2.5
dc
square wave
1.2
1
Ipk/Io = p
Ipk/Io = 5
square wave
dc
Ipk/Io = 10
2
1.5
1
0.5
0
Ipk/Io = p
Ipk/Io = 5
Ipk/Io = 10
Ipk/Io = 20
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Ipk/Io = 20
25
45
65
85
105
125
145
165
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
T L , LEAD TEMPERATURE ( ° C)
Figure 15. Current Derating
http://onsemi.com
5
I O , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 16. Forward Power Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD4P02FT1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET |
| NTHD5903T1G | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET |
| NTHD5904NT1G | MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET |
| NTHS2101PT1 | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET |
| NTHS4101PT1G | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD4P02 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
| NTHD4P02F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode |
| NTHD4P02F_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode |
| NTHD4P02FT1 | 功能描述:MOSFET -20V -3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4P02FT1G | 功能描述:MOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。