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参数资料
| 型号： | NTHD5903 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET Dual P-Channel 2.2 A, 20 V(2.2A，20V，双P通道的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET双P沟道2.2，为20 V（2.2a在，20V的，双P通道的功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | NTHD5903 |
NTHD5903
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
3 V
125
°
C
0
10
5
8
6
6
3
2
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
D
4
2
0
1
Figure 1. OnRegion Characteristics
0
10
8
3
2
4
6
4
2
1
0
5
Figure 2. Transfer Characteristics
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1
2
4
3
2
0
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
D
I
D
D
1
9
10
8
5
0.25
4
0.15
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D,
DRAIN CURRENT (AMPS)
50
0
25
25
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
125
100
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 1.4 V
4
1
3
T
C
= 55
°
C
I
D
= 2.2 A
T
J
= 25
°
C
0.4
0.05
75
150
T
J
= 25
°
C
I
D
= 2.2 A
V
GS
= 4.5 V
R
D
D
R
4
25
°
C
R
D
D
1.6
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 3.6 V
1.8 V
2.2 V
0
5
7
6
2
3
0
4
8
1.0E11
20
16
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
12
V
GS
= 0 V
I
D
,
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
2.4 V
2.6 V
2.8 V
3.4 V
3.6 V
V
GS
= 4 V 10 V
0.35
0.2
0.1
0.3
V
GS
= 2.5 V
1.0E10
1.0E9
1.0E8
1.0E7
1.0E6
T
J
= 25
°
C
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