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参数资料
| 型号： | NTHD5903 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET Dual P-Channel 2.2 A, 20 V(2.2A，20V，双P通道的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET双P沟道2.2，为20 V（2.2a在，20V的，双P通道的功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | NTHD5903 |
NTHD5903
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
8
4
12
12
600
300
200
100
0
20
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
C
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage vs. Total Charge
G
G
T
J
= 25
°
C
C
oss
C
iss
C
rss
500
D
D
10
1
10
1
100
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
t
V
DD
= 10 V
I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.5 V
100
8
0
400
t
d(off)
t
f
t
d(on)
t
r
V
GS
V
DS
4
16
0.8
0
1
0
1.2
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I
S
,
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
5
1
0.6
0.4
0.2
2
3
4
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
I
D
= 2.2 A
T
J
= 25
°
C
Q
g
Q
gd
Q
gs
2
1
0.1
0.01
10
10
10
4
3
2
1
10
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Duty Cycle = 0.5
0.2
Single Pulse
0.1
0.05
0.02
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 90
°
C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t1
t2
PDM
Notes:
t1
t2
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance, JunctiontoAmbient
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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