- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHD5904NT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHD5904NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 465pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 640mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTHD5904NT1GOSCT |
NTHD5904N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
V (BR)DSS
I DSS
V GS = 0 V
V GS = 0 V, V DS = 16 V
20
1.0
V
m A
V GS = 0 V, V DS = 16 V, T J = 125 ° C
10
Gate?to?Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = " 8.0 V
" 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
Drain?to?Source On?Resistance
V GS(TH)
R DS(on)
V GS = V DS , I D = 250 m A
V GS = 4.5 V, I D = 3.3 A
0.6
0.75
40
1.2
65
V
m W
V GS = 2.5 V, I D = 2.3 A
55
105
Forward Transconductance
g FS
V DS = 10 V, I D = 3.3 A
6.0
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C iss
465
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = 16 V
65
30
Total Gate Charge
Q G(TOT)
4.0
nC
Threshold Gate Charge
Gate?to?Source Charge
Gate?to?Drain Charge
Q G(TH)
Q GS
Q GD
V GS = 2.5 V, V DS = 16 V,
I D = 3.3 A
0.4
0.8
2.0
Total Gate Charge
Q G(TOT)
6.0
nC
Threshold Gate Charge
Gate?to?Source Charge
Gate?to?Drain Charge
Q G(TH)
Q GS
Q GD
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V,
I D = 3.3 A
0.5
0.8
1.7
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 5)
Turn?On Delay Time
t d(on)
6.0
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 4.5 V, V DS = 16 V,
I D = 3.3 A, R G = 2.5 W
17
17
5.1
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
V SD
t RR
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, I S = 2.6 A
V GS = 0 V, I S = 2.6 A,
dI S /dt = 100 A/ m s
0.8
19.5
6.0
13
7.0
1.15
V
ns
nC
4. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
5. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
ORDERING INFORMATION
Device
NTHD5904NT1
NTHD5904NT1G
NTHD5904NT3
NTHD5904NT3G
Package
ChipFET
ChipFET
(Pb?Free)
ChipFET
ChipFET
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
10,000 / Tape & Reel
10,000 / Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHS2101PT1 | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET |
| NTHS4101PT1G | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET |
| NTHS4166NT1G | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| NTHS4501NT1G | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| NTHS5404T1G | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD5904NT3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD5904NT3G | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD5904T1 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| NTHD5904T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET Dual N-Channel |
| NTHD5905T1 | 功能描述:MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。