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参数资料
| 型号： | NTHD5904NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 465pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 640mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTHD5904NT1GOSCT |
NTHD5904N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
11
10
9
5V
V GS = 4 V
V GS = 3 V
2.4 V
T J = 25 ° C
1.8 V
11
10
9
V DS ≥ 10 V
8
7
6
5
4
2V
1.6 V
8
7
6
5
4
3
1.4 V
3
125 ° C
2
1
0
1.2 V
2
1
0
25 ° C
T J = ?55 ° C
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.08
0.07
I D = 3.3 A
T J = 25 ° C
0.06
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
0.06
0.05
0.04
0.05
0.04
V GS = 4.5 V
0.03
0.02
0.03
1
2
3
4
5
6
2
3
4
5
6
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1.6
I D = 3.3 A
10000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
V GS = 2.5 V
T J = 150 ° C
1000
1.2
1.0
0.8
0.6
100
10
T J = 100 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
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PDF描述 |
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参数描述 |
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