- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHD5904NT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHD5904NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 465pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 640mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTHD5904NT1GOSCT |
NTHD5904N
PACKAGE DIMENSIONS
ChipFET ]
CASE 1206A?03
ISSUE G
D
q
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
H E
8
1
7
2
6
3
5
4
E
L
5
4
6
3
7
2
8
1
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN HORIZONTAL
AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED 0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND BOTTOM LEAD
SURFACE.
MILLIMETERS
INCHES
e1
e
b
A
c
STYLE 2:
PIN 1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
SOURCE 1
GATE 1
SOURCE 2
GATE 2
DRAIN 2
DRAIN 2
DRAIN 1
DRAIN 1
DIM
A
b
c
D
E
e
e1
L
H E
q
MIN NOM MAX
1.00 1.05 1.10
0.25 0.30 0.35
0.10 0.15 0.20
2.95 3.05 3.10
1.55 1.65 1.70
0.65 BSC
0.55 BSC
0.28 0.35 0.42
1.80 1.90 2.00
5 ° NOM
MIN
0.039
0.010
0.004
0.116
0.061
0.011
0.071
NOM
0.041
0.012
0.006
0.120
0.065
0.025 BSC
0.022 BSC
0.014
0.075
5 ° NOM
MAX
0.043
0.014
0.008
0.122
0.067
0.017
0.079
0.05 (0.002)
SOLDERING FOOTPRINT*
0 .45 7
0.018
2 .03 2
0.08
2 .03 2
0.08
0.63 5
0.025
0 .63 5
0.025
1 .09 2
0.043
0.17 8
0.007
0.45 7
0.018
0.66
0.026
0.711
0.028
SCALE 20:1
mm
inches
0.66
0.026
0 .25 4
0.010
SCALE 20:1
mm
inches
Basic
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
Style 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHS2101PT1 | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET |
| NTHS4101PT1G | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET |
| NTHS4166NT1G | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| NTHS4501NT1G | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| NTHS5404T1G | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD5904NT3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD5904NT3G | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD5904T1 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| NTHD5904T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET Dual N-Channel |
| NTHD5905T1 | 功能描述:MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。