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参数资料
| 型号： | NTHS4101PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2100pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHS4101PT1GOSDKR |
NTHS4101P
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage (Note 2)
Temperature Coefficient (Positive)
Gate ? Body Leakage Current Zero
Zero Gate Voltage Drain Current
V (Br)DSS
I GSS
I DSS
V GS = 0 V dc , I D = ? 250 m A dc
V DS = 0 V dc , V GS = " 8.0 V dc
V DS = ? 16 V dc , V GS = 0 V dc
V DS = ? 16 V dc , V GS = 0 V dc ,
T J = 85 ° C
? 20
" 100
? 1.0
? 5.0
V dc
nA dc
m A dc
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
V GS(th)
R DS(on)
g FS
V SD
V DS = V GS , I D = ? 250 m A dc
V GS = ? 4.5 V dc , I D = ? 4.8 A dc
V GS = ? 2.5 V dc , I D = ? 4.2 A dc
V GS = ? 1.8 V dc , I D = ? 1.0 A dc
V DS = ? 5.0 V dc , I D = ? 4.8 A dc
I S = ? 4.8 A dc , V GS = 0 V dc
? 0.45
21
30
42
15
? 0.8
? 1.5
34
40
52
? 1.2
V dc
m W
S
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
V DS = ? 16 V dc
V GS = 0 V
f = 1.0 MHz
2100
290
200
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DD = ? 16 V dc
V GS = ? 4.5 V dc
I D = ? 4.5 A dc
R G = 2.5 W
8.0
28
75
60
ns
Gate Charge
Q g
V GS = ? 4.5 V dc
25
35
nC
Q gs
Q gd
I D = ? 4.5 A dc
V DS = ? 16 V dc (Note 3)
4.0
7.0
2. Pulse Test: Pulse Width = 250 m s, Duty Cycle = 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
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