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参数资料
| 型号： | NTHS4101PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2100pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHS4101PT1GOSDKR |
NTHS4101P
PACKAGE DIMENSIONS
ChipFET t
CASE1206A ? 03
ISSUE K
H E
8
1
7
2
D
6
3
5
4
E
q
L
5
4
6
3
7
2
8
1
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN HORIZONTAL
AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED 0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND BOTTOM LEAD
SURFACE.
MILLIMETERS
INCHES
e1
e
b
A
c
0.05 (0.002)
RESET
DIM
A
b
c
D
E
e
e1
L
H E
q
MIN NOM MAX
1.00 1.05 1.10
0.25 0.30 0.35
0.10 0.15 0.20
2.95 3.05 3.10
1.55 1.65 1.70
0.65 BSC
0.55 BSC
0.28 0.35 0.42
1.80 1.90 2.00
5 ° NOM
MIN
0.039
0.010
0.004
0.116
0.061
0.011
0.071
NOM
0.041
0.012
0.006
0.120
0.065
0.025 BSC
0.022 BSC
0.014
0.075
5 ° NOM
MAX
0.043
0.014
0.008
0.122
0.067
0.017
0.079
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. DRAIN
4. GATE
5. SOURCE
6. DRAIN
7. DRAIN
8. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINT
1
2 .03 2
0.08
1
2 .03 2
0.08
1 .72 7
2 .36 2
0.093
0.65
0.025
2 .36 2
0.093
0.068
PITCH
8X
0 .45 7
0.018
8X
0.66
0.026
Basic Style
mm
inches
2X
0 .45 7
0.018
Style 1
2X
0.66
0.026
mm
inches
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
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| NTHS4166N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 8.2 A, Single N-Channel, ChipFET Package |
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