- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHS4101PT1G (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHS4101PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2100pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHS4101PT1GOSDKR |
NTHS4101P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5000
4500
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
QT
4000
3500
3000
4
3
2500
2000
C rss
C iss
2
Q1
Q2
1500
1000
500
0
? 6 ? 4 ? 2 0 2
? V GS ? V DS
4
6
8
C oss
10 12 14 16 18 20
1
0
0
3
I D = ? 4.5 A
T J = 25 ° C
6 9 12 15 18 21 24
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
27
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
Figure 7. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage vs. Total Gate Charge
1000
100
V DD = ? 16 V
I D = ? 4.5 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
5
4
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
t d(on)
2
1
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
10 m s
1
V GS = ? 8 V
SINGLE PULSE
100 m s
1 ms
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHS4166NT1G | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| NTHS4501NT1G | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| NTHS5404T1G | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET |
| NTHS5441T1G | MOSFET PWR P-CH 3.9A 20V CHIPFET |
| NTHS5443T1 | MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHS4111P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -6.1 A, Single P-Channel, ChipFET |
| NTHS4111P_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -6.1 A, Single P-Channel, ChipFET |
| NTHS4111PT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
| NTHS4111PT1G | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTHS4166N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 8.2 A, Single N-Channel, ChipFET Package |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。