- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHS4501NT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHS4501NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 产品目录绘图： | MOSFET ChipFET |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 462pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHS4501NT1GOSDKR |
NTHS4501N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage
Drain?to?Source Breakdown Voltage
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
30
31
30
V
mV/ ° C
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V, V DS = 24 V
T J = 25 ° C
1.0
m A
T J = 125 ° C
10
Gate?to?Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
V GS = V DS , I D = 250 m A
1.0
1.6
2.0
V
Negative Threshold
V GS(TH) /T J
4.0
mV/ ° C
Temperature Coefficient
Drain?to?Source On?Resistance
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 4.9 A
30
38
m W
V GS = 4.5 V, I D = 3.9 A
40
50
Forward Transconductance
g FS
V DS = 10 V, I D = 4.9 A
15
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C ISS
462
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = 24 V
137
32
Total Gate Charge
Q G(TOT)
9.1
nC
Threshold Gate Charge
Gate?to?Source Charge
Gate?to?Drain Charge
Q G(TH)
Q GS
Q GD
V GS = 10 V, V DS = 15 V,
I D = 4.9 A
0.7
1.3
1.8
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn?On Delay Time
t d(on)
4.0
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DS = 15 V,
I D = 1.0 A, R G = 6.0 W
11
17
7.5
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V, I S = 1.1 A
T J = 25 ° C
0.75
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
19.1
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, I S = 1.1 A,
dI S /dt = 90 A/ m s
11.9
7.3
Reverse Recovery Charge
Q RR
13
nC
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHS5404T1G | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET |
| NTHS5441T1G | MOSFET PWR P-CH 3.9A 20V CHIPFET |
| NTHS5443T1 | MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET |
| NTJD1155LT1 | MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363 |
| NTJD2152PT4G | MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHS50680RJ | 制造商:MACOM 制造商全称:Tyco Electronics 功能描述:Aluminium Housed Power Resistors |
| NTHS5402T1 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTHS5402T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET N-Channel ChipFET? |
| NTHS5404 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTHS5404T1 | 功能描述:MOSFET 20V 7.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。