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参数资料
| 型号： | NTHS4501NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 产品目录绘图： | MOSFET ChipFET |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 462pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHS4501NT1GOSDKR |
NTHS4501N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
9
QT
20
800
8
16
7
V DS
V GS
600
C ISS
6
5
12
400
4
Q GS
Q GD
8
3
200
C OSS
2
4
0
C RSS
1
0
I D = 4.9 A
T J = 25 ° C
0
0
6
12
18
24
30
0
2
4
6
8
10
1000
DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
V DD = 15 V
I D = 1.0 A
V GS = 10 V
5
4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
3
10
1
t d(off)
t f
t r
t d(on)
2
1
0
1
10
100
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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