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参数资料
| 型号： | NTHS4501NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 产品目录绘图： | MOSFET ChipFET |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 462pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHS4501NT1GOSDKR |
NTHS4501N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
9
3.2 V
10 V
3.0 V
T J = 25 ° C
10
V DS ≥ 10 V
8
7
6
2.8 V
8
5
2.6 V
6
4
3
4
?55 ° C
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
2.4 V
2.2 V
8
9
2
0
1.0
1.5
25 ° C
2.0
2.5
T J = 100 ° C
3.0
3.5
4.0
4.5
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.19
0.17
0.15
I D = 4.9 A
T J = 25 ° C
0.06
0.05
T J = 25 ° C
0.13
0.11
0.09
0.04
V GS = 4.5 V
0.07
0.05
0.03
0.03
V GS = 10 V
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.02
2
4
6
8
10
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
2
I D = 4.9 A
10000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.8
V GS = 10 V
1.6
1.4
1.2
1000
T J = 150 ° C
1
0.8
100
T J = 100 ° C
0.6
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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