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参数资料
| 型号： | NTJD1155LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJD1155L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Q2 Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
V IN
V GS2 = 0 V, I D2 = 250 m A
? 8.0
V
Forward Leakage Current
I FL
V GS1 = 0 V,
V DS2 = ? 8.0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.0
10
m A
Q1 Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS1 = 0 V, V GS1 = ± 8.0 V
± 100
nA
Q1 Diode Forward On ? Voltage
V SD
I S = ? 0.4 A, V GS1 = 0 V
? 0.8
? 1.1
V
ON CHARACTERISTICS
ON/OFF Voltage
V ON/OFF
1.5
8.0
V
Q1 Gate Threshold Voltage
Input Voltage
V GS1(th)
V IN
V GS1 = V DS1 , I D = 250 m A
V GS1 = V DS1 , I D = 250 m A
0.4
1.8
1.0
8.0
V
V
Q2 Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V ON/OFF = 1.5 V
V IN = 4.5 V
I L = 1.2 A
130
175
m W
V IN = 2.5 V
I L = 1.0 A
V IN = 1.8 V
I L = 0.7 A
170
260
220
320
Load Current
I L
V DROP ≤ 0.2 V, V IN = 5.0 V,
V ON/OFF = 1.5 V
1.0
A
V DROP ≤ 0.3 V, V IN = 2.5 V,
V ON/OFF = 1.5 V
1.0
V IN
R1
4
Q2
2,3
C1
V OUT
6
6
ON/OFF
5
Q1
C O
LOAD
C I
R2
1
R2
Figure 1. Load Switch Application
GND
Components
R1
R2
C O , C I
C1
Description
Pullup Resistor
Optional Slew ? Rate Control
Output Capacitance
Optional In ? Rush Current Control
Values
Typical 10 k W to 1.0 M W *
Typical 0 to 100 k W *
Usually < 1.0 m F
Typical ≤ 1000 pF
*Minimum R1 value should be at least 10 x R2 to ensure Q1 turn ? on.
http://onsemi.com
2
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参数描述 |
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