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参数资料
| 型号： | NTJD1155LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJD1155L
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.8
I L (AMPS)
Figure 2. V drop vs. I L @ V in = 2.5 V
0.31
I L (AMPS)
Figure 3. V drop vs. I L @ V in = 4.5 V
0.7
I L = 1 A
V ON/OFF = 1.5 to 8 V
0.26
I L = 1 A
V ON/OFF = 1.5 to 8 V
V in = 1.8 V
0.6
0.5
0.4
0.21
0.16
0.3
0.2
0.1
0.0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.11
0.06
0.01
V in = 5 V
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
? 50
? 25
0
25 50
75
100
125
150
V IN (VOLTS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Input Voltage
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
1.7
1.5
1.3
1.1
I L = 1 A
V ON/OFF = 1.5 to 8 V
V in = 5 V
V in = 1.8 V
44
40
36
32
28
24
20
16
12
I L = 1 A
V ON/OFF = 1.5 V
Ci = 10 m F
Co = 1 m F
t d(off)
t r
t f
0.9
8
0.7
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
4
0
0
1
2
3
4
t d(on)
5
6
7
8
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. Normalized On ? Resistance Variation
with Temperature
http://onsemi.com
3
R2 (k W )
Figure 7. Switching Variation
R2 @ V in = 4.5 V, R1 = 20 k W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJD1155LT1G | 功能描述:MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD116N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
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| NTJD2152PT1 | 功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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