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参数资料
| 型号： | NTJD1155LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJD1155L
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
22
40
20
18
16
14
12
10
8
6
4
I L = 1 A
V on/off = 3 V
Ci = 10 m F
Co = 1 m F
t d(off)
t f
t r
36
32
28
24
20
16
12
8
I L = 1 A
V ON/OFF = 1.5 V
Ci = 10 m F
Co = 1 m F
t f
t r
t d(on)
2
0
0
1
2
3
4
5
6
t d(on)
7
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
t d(off)
7
8
R2 (k W )
Figure 8. Switching Variation
R2 @ V in = 4.5 V, R1 = 20 k W
12
10
t f
R2 (k W )
Figure 9. Switching Variation
R2 @ V in = 2.5 V, R1 = 20 k W
8
6
4
2
I L = 1 A
V on/off = 3 V
Ci = 10 m F
Co = 1 m F
t d(off)
t r
t d(on)
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
R2 (k W )
Figure 10. Switching Variation
R2 @ V in = 2.5 V, R1 = 20 k W
10
Normalized to R q JA at Steady State ( 1 inch pad)
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
0.01
0.001
0.02
0.01
0.05
0.1
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
1 10
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
100 1000
SQUARE WAVE PULSE DURATION TIME t, (s)
Figure 11. FET Thermal Response
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| NTJD1155LT1G | 功能描述:MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTJD2152PT1 | 功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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