参数资料
型号: NTJS3151PT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
产品目录绘图: MOSFET SOT-363 Pkg
标准包装: 10
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 400mV @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 850pF @ 12V
功率 - 最大: 625mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: 标准包装
产品目录页面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: NTJS3151PT1GOSDKR
NTJS3151P
ORDERING INFORMATION
Device
NTJS3151PT1
NTJS3151PT1G
NTJS3151PT2
NTJS3151PT2G
Package
SC ? 88
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(Pb ? Free)
SC ? 88
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Specifications Brochure, BRD8011/D.
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