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参数资料
| 型号： | NTJS3157NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 400mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJS3157N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1400
1200
1000
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS
Q G(TOT)
V GS
10
8
800
3
6
600
C rss
C iss
2
Q GS
Q GD
4
400
200
0
8
4
V GS
0
C rss
V DS
4
8
12
16
C oss
20
1
0
0
1
2 3 4 5 6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
I D = 3.2 A
T J = 25 ° C
7
8
2
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DS = 10 V
I D = 0.5 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
t r
6
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
1
t d(on)
3
2
1
0
1
10
100
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTJS4151PT1 | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 |
| NTJS4160NT1G | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 |
| NTJS4405NT4G | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 |
| NTK3043NT5G | MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJS4151P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Single P−Channel, SC−88 |
| NTJS4151PT1 | 功能描述:MOSFET -20V -4.2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS4151PT1G | 功能描述:MOSFET -20V -4.2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS4160N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTJS4160NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 3.2A 60MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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