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参数资料
| 型号： | NTJS4160NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.75nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 230pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTJS4160NT1GOSCT |
NTJS4160N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
9
6V
to
5V
4.0 V
V GS = 3.8 V
10
9
V DS ≥ 4 V
8
7
6
5
4
10 V
T J = 25 ° C
3.6 V
3.4 V
3.2 V
8
7
6
5
4
25 ° C
3
2
1
0
3.0 V
2.8 V
2.6 V
2.4 V
3
2
1
0
T J = 150 ° C
T J = -55 ° C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.4
0.35
T J = 25 ° C
0.1
T J = 25 ° C
I D = 2.6 A
0.3
0.25
V GS = 4.5 V
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.05
0
V GS = 10 V
1.0 2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0 8.0
9.0
10
1.6
V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate Voltage
1000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.5
1.4
I D = 2.6 A
4.5 < V GS < 10 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
100
10
1
T J = 125 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTJS4405NT4G | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 |
| NTK3043NT5G | MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723 |
| NTK3134NT5G | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723 |
| NTK3139PT5G | MOSFET P-CH 20V 660MA SOT-723 |
| NTK3142PT1G | MOSFET P-CHAN 260MA 20V SOT-723 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJS4405N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A, Single, N−Channel, SC−88 |
| NTJS4405NT1 | 功能描述:MOSFET 25V 1.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS4405NT1G | 功能描述:MOSFET 25V 1.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS4405NT4 | 功能描述:MOSFET 25V 1.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS4405NT4G | 功能描述:MOSFET 25V 1.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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