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参数资料
| 型号： | NTJS4160NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.75nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 230pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-88 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTJS4160NT1GOSCT |
NTJS4160N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
400
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
QT
20
350
300
4
V DS
Q GS
Q GD
V GS
15
250
200
150
C iss
3
2
10
100
C oss
1
5
50
0
C rss
0
I D = 2.6 A
T J = 25 ° C
0
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
100
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1.3
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 15 V
1.2
V GS = 0 V
I D = 1.0 A
V GS = 4.5 V
1.1
1.0
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C T J = 25 ° C
0.9
0.8
10
t d(off)
t d(on)
t r
0.7
0.6
0.5
T J = -40 ° C
0.4
0.3
1
t f
0.2
0.1
0
1
10
100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJS4405N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A, Single, N−Channel, SC−88 |
| NTJS4405NT1 | 功能描述:MOSFET 25V 1.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS4405NT1G | 功能描述:MOSFET 25V 1.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS4405NT4 | 功能描述:MOSFET 25V 1.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS4405NT4G | 功能描述:MOSFET 25V 1.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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