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参数资料
| 型号： | NTLGD3502NT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A，3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.74W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLGD3502N
TYPICAL MOSFET I N-CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
9
8
7
3.5 V
V GS = 3.7 V to 6.5 V
T J = 25 ° C
3.3 V
3.1 V
10
9
8
7
V DS ≥ 10 V
6
5
2.9 V
6
5
4
3
2
1
0
2.7 V
2.5 V
2.3 V
4
3
2
1
0
25 ° C
100 ° C
T J = -55 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0.2
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
0.0510
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
I D = 4.3 A
T J = 25 ° C
0.0505
0.0500
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.1
0.0495
0.0490
0
0.0485
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
1.5
2.5
3.5
4.5
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate-to-Source
Voltage
1.7
10,000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
I D = 4.3 A
V GS = 4.5 V
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLGF3402PT2G | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN |
| NTLJD2104PTBG | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN |
| NTLJD2105LTBG | MOSFET LOAD SW 8V 4.3A 6-WDFN |
| NTLJD3115PTAG | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.1A 6-WDFN |
| NTLJD3119CTBG | MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLGF3402P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −3.9 A FETKY, P−Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6 |
| NTLGF3402PT1G | 功能描述:MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A FETKY T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLGF3402PT2G | 功能描述:MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLGF3501NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A FETKY T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLGF3501NT2G | 功能描述:MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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