- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTLGD3502NT2G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTLGD3502NT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A，3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.74W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLGD3502N
TYPICAL MOSFET II N-CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
400
300
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
6
4
V DS
Q T
V GS
12
10
8
200
C ISS
C OSS
2
Q GS
Q GD
6
4
100
0
C RSS
0
I D = 3.4 A
T J = 25 ° C
2
0
0
5
10
15
20
0
1
2
100
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Capacitance Variation
V DS = 16 V
10
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 19. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
I D = 3.4 A
V GS = 4.5 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
10
t r
t d(off)
1
T J = 150 ° C
t d(on)
1
1
t f
10
100
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
T J = -55 ° C
0.8 0.9
1.0
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 20. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
D = 0.5
0.2
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 21. Diode Forward Voltage vs. Current
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 22. FET Thermal Response
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLGF3402PT2G | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN |
| NTLJD2104PTBG | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN |
| NTLJD2105LTBG | MOSFET LOAD SW 8V 4.3A 6-WDFN |
| NTLJD3115PTAG | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.1A 6-WDFN |
| NTLJD3119CTBG | MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLGF3402P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −3.9 A FETKY, P−Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6 |
| NTLGF3402PT1G | 功能描述:MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A FETKY T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLGF3402PT2G | 功能描述:MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLGF3501NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A FETKY T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLGF3501NT2G | 功能描述:MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。