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参数资料
| 型号： | NTLJD3183CZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 355pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJD3183CZ
P ? CHANNEL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
600
400
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
C iss
5
4
3
QT
V GS
200
2
Q GS
Q GD
0
0
5
10
15
C oss
C rss
20
1
0
0
1
2
3
4
I D = ? 3.8 A
T J = 25 ° C
5
6
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 19. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = ? 5.0 V
I D = ? 2.0 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
2
1.5
1
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
t d(on)
0.5
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 20. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
100
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 21. Diode Forward Voltage versus Current
100 m s
1 ms
10 ms
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 22. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
7
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