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参数资料
| 型号： | NTLJF3117PTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 531pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJF3117P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1200
1000
V DS = 0 V V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
5
4
QT
20
16
800
3
V DS
V GS
12
600
400
C rss
2
Q GS
Q GD
8
200
0
C oss
1
0
I D = -2.2 A
T J = 25 ° C
4
0
5
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
V DD = -15 V
I D = -2.2 A
V GS = -4.5 V
100
t f
t r
Figure 8. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage versus Total Charge
3
V GS = 0 V
2.5
2
1.5
10
t d(off)
t d(on)
1
1
0.5
0
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
10
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
SINGLE PULSE
10 m s
100 m s
1 ms
1
0.1
*See Note 2 on Page 1
R DS(on) LIMIT
10 ms
THERMAL LIMIT
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTLJF3118NTAG | 功能描述:MOSFET NFET 2X2 20V 3.8A 70MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJF3118NTBG | 功能描述:MOSFET NFET 2X2 20V 3.8A 70MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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