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参数资料
| 型号： | NTLJF3118NTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 271pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJF3118N
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Symbol
V F
Test Conditions
I F = 0.1 A
Min
Typ
0.26
Max
0.35
Unit
V
Forward Voltage
I F = 1.0 A
I F = 2.0 A
0.35
0.41
0.42
0.52
Maximum Instantaneous
Reverse Current
I R
V R = 20 V
V R = 10 V
0.20
0.045
5.0
1.0
mA
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 85 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Symbol
V F
Test Conditions
I F = 0.1 A
Min
Typ
0.18
Max
Unit
V
Forward Voltage
I F = 1.0 A
I F = 2.0 A
0.29
0.36
Maximum Instantaneous
Reverse Current
I R
V R = 20 V
V R = 10 V
4.9
1.6
mA
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 125 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Symbol
V F
Test Conditions
I F = 0.1 A
Min
Typ
0.13
Max
Unit
V
Forward Voltage
I F = 1.0 A
I F = 2.0 A
0.25
0.33
Maximum Instantaneous
Reverse Current
I R
V R = 20 V
V R = 10 V
42
13
mA
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Capacitance
Parameter
Symbol
C
Test Conditions
V R = 5.0 V, f = 1.0 MHz
Min
Typ
52.3
Max
Unit
pF
ORDERING INFORMATION
Device
NTLJF3118NTAG
NTLJF3118NTBG
Package
WDFN6
(Pb-Free)
WDFN6
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
(Pb-Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
3
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