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参数资料
| 型号： | NTLJF3118NTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 271pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJF3118N
TYPICAL N-CHANNEL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
600
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
QT
20
500
C iss
4
16
400
3
V DS
V GS
12
300
200
C rss
C oss
2
Q GS
Q GD
8
100
0
1
0
I D = 3.8 A
T J = 25 ° C
4
0
10
5
0
5
10
15
20
0
1 2 3
4
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
100
V DD = 16 V
I D = 1.0 A
Figure 8. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage versus Total Charge
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
t d(off)
1.5
10
t f
t r
1
t d(on)
0.5
1
0
1
10
100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
Variation versus Gate Resistance
http://onsemi.com
5
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