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参数资料
| 型号： | NTLJF3118NTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 271pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJF3118N
TYPICAL SCHOTTKY PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
T J = 125 ° C
10
T J = 85 ° C
1.0
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
1.0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = -55 ° C
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.0E+0
100E-3
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 11. Typical Forward Voltage
T J = 125 ° C
1.0E+0
100E-3
V F , MAXIMUM FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Forward Voltage
T J = 125 ° C
10E-3
1.0E-3
T J = 85 ° C
10E-3
1.0E-3
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
100E-6
T J = 25 ° C
100E-6
10E-6
0
10
20
10E-6
0
10
20
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 13. Typical Reverse Current
http://onsemi.com
6
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 14. Maximum Reverse Current
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PDF描述 |
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