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参数资料
| 型号： | NTLJF4156NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 427pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTLJF4156NT1GOSCT |
NTLJF4156N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
V GS = 1.7 V to 8 V
T J = 25 ° C
6
V DS ≥ 10 V
1.6 V
4
4
3
1.5 V
2
1
1.4 V
1.3 V
2
T J = 25 ° C
0
1.2 V
0
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.07
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.14
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.06
V GS = 4.5 V
T J = 100 ° C
0.13
0.12
T J = 25 ° C
0.11
0.05
0.04
0.03
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.1
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0.02
1.0
1.5
2.0
2.5
0.04
1
2
3
4
5
1.6
1.4
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
I D = 2 A
V GS = 4.5 V
100,000
10,000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1000
1.0
T J = 100 ° C
100
0.8
0.6
10
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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参数描述 |
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