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参数资料
| 型号： | NTLJF4156NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 427pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTLJF4156NT1GOSCT |
NTLJF4156N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
800
V DS = V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS
QT
V GS
18
15
12
600
3
400
200
0
C rss
C iss
C oss
2
1
0
Q GS
Q GD
I D = 2.0 A
T J = 25 ° C
9
6
3
0
5
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2 3
4
5
6
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
Figure 8. Gate?To?Source and Drain?To?Source
Voltage versus Total Charge
3
V DD = 15 V
I D = 2.0 A
V GS = 4.5 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
100
10
1
t d(off)
t f
t r
t d(on)
2
1
0
T J = 25 ° C
1
10
100
0.3
0.6
0.9
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
100
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
10
1
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
See Note 2 on Page 1
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
0.1
R DS(on) LIMIT
0.01
0.1
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
dc
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
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