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参数资料
| 型号： | NTLJS4159NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1045pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJS4159N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
7
6
V GS = 1.6 V to 8 V
1.5 V
T J = 25 ° C
8
V DS ≥ 10 V
5
6
1.4 V
4
4
3
2
1.3 V
2
T J = 25 ° C
1
0
1.2 V
0
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0 0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.03
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.05
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.025
0.02
V GS = 4.5 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
0.04
0.03
T J = 25 ° C
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
0.015
0.01
T J = ?55 ° C
0.02
0.01
V GS = 4.5 V
0.005
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
6
1.6
1.4
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
I D = 2 A
V GS = 4.5 V
100000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
1.2
10000
T J = 125 ° C
1.0
0.8
0.6
1000
100
T J = 85 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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