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参数资料
| 型号： | NTLJS4159NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1045pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJS4159N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
3000
2400
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS
QT
V GS
20
16
1800
3
12
1200
C iss
2
Q GS
Q GD
8
C rss
600
0
C oss
1
0
I D = 3.0 A
T J = 25 ° C
4
0
5
0
5
10
15
20
25
30
0
4 8
12
16
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
V DD = 15 V
Figure 8. Gate?To?Source and Drain?To?Source
Voltage versus Total Charge
4
V GS = 0 V
100
I D = 3.0 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
t r
3
2
T J = 25 ° C
t d(on)
10
1
1
0
1
10
100
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
Variation versus Gate Resistance
100
See Note 2 on Page 1
10 m s
10
100 m s
1 ms
1
0.1
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
R DS(on) LIMIT
10 ms
0.01
0.1
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
dc
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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参数描述 |
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